Irf3205 характеристики на русском языке

Транзистор irf3205 параметры

Благодаря большой токовой способности и низкому сопротивлению канала транзистор IRF3205 часто используется в качестве силовых ключей в автомобильных электронных устройства и там где нужно коммутировать относительно большие токи при небольших напряжениях.

Транзистор IRF3205 цоколевка

Цоколевка стандартная как и у большинства силовых транзисторов:

IRF3205 параметры

  • Тип — N-канальный MOSFET с обратным диодом
  • Тип корпуса — TO-220AB (SOT78)
  • Диапазон рабочих температур -55..+175°C

Максимальное напряжение сток-исток Uси = 55 В, позволяет транзистору IRF3205 работать в преобразователях напряжения питающихся от 12, 24 и 36 В, то есть во всех автомобильных применениях, в источниках бесперебойного питания и много ещё где.
При этом обещают сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. = 8 мОм (0,008 Ом) и максимальный ток сток-исток при температуре 25°С: Iси макс.= 110 А. Вот только цифра 110 А, это лишь маркетинговый ход — это ток самого кристалла, а вот проволочка которой припаян контакт истока на кристале к выводу выдержит лишь 75 А. Это ограничение называют ограничением по максимальному току корпуса.

  • Время включения = 14 нс,
  • Время выключения = 50 нс,
  • Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. = ±20 В,
  • Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс. = 200 Вт,
  • Крутизна характеристики S = 44,
  • Пороговое напряжение на затворе 2…4 В,
  • Ток утечки затвора Запись опубликована 22.05.2016 автором в рубрике Силовая электроника, Электроника для начинающих.

Навигация по записям

21 thoughts on “ Транзистор irf3205 параметры ”

Pdf от IR на IRF3205 и на IRF3205Z.

По характеристикам сопротивление открытого канала Rси вкл. транзисторов IRF3205 и IRF3205Z равно соответственно 8 мОм и 6,5 мОм. Вероятно произошла опечатка, и необходимо исправить мегаомы на омы.

Прошу прощения, перепутал миллиомы мОм с мегаомами МОм. Наверное, чтобы таких ошибок не возникало, лучше написать характеристики прямо в омах.

Я когда впервые столкнулся с МДП транзисторами от IR, не верилось что настолько маленькое сопротивление канала. А сейчас если идет разговор о низковольтных мосфетах, то сразу подразумеваются милли Омы.
Оставил значение как в мОмах (так как лень нули считать), так и дополнил значением в Омах, чтобы избежать недоразумений.

Спасибо за информацию о максимальном токе корпуса. Я раньше не обращал внимания об этом. Хорошо , что автор приводит примерную цену о стоимости деталей. Вопрос может кто ответит как работают высоковольтные МДП транзисторы , на более низком напряжении , т.е. если Uси = 400 или 500 В, как этот транзистор будет работать в схеме с напряжением 50в. А то мне не понятно почему производитель выпускает большой ассортимент элементов с более низкими параметрами если цены примерно одинаковы.

Высоковольтные транзисторы изготовить сложнее, так как нужно обеспечить более высокое напряжение пробоя — например за счет увеличения размеров областей и/или чистоты материалов. А если длинна канала увеличивается то и сопротивление в открытом состоянии растет.
Высоковольтный транзистор спокойно будет работать на низком напряжении, т.е. 400В будет нормально коммутировать 50В, но вот сопротивление в открытом состоянии у него скорее всего будет значительно больше чем у специализированного низковольного. И соответсвенно потери и нагрев у низковольного будут ниже.
Ассортимент транзисторов формируется не по их качеству, а по востребованности: заложили какой-то транзистор в устройство 10 лет назад и так и выпускают по сей день, так как чтобы поставить пусть и более совершенные транзисторы нужно как минимум провести испытания, а может быть и перенастройку каких-то узлов схемы. Вот и получается что наряду с современными транзисторами выпускаемыми большими тиражами, продаются и устаревшие транзисторы за теже деньги. На цену очень сильно влияет тираж и часто более сложный в изготовлении но популярный транзистор стоит дешевле более простого.

Admin ответил красиво и грамотно — подписываюсь под каждым словом. Но, «почему» олександра о другом — под более низкими параметрами он почему-то понял лишь напряжение, забыв о токе. Так вот, у 400-вольтового IRF740, к примеру, ток всего 10 А, а не 110 (пусть даже 75) как у IRF3205. А есть еще и рассеиваемая мощность, ограничивающая и V и А любых транзисторов. Так что отталкиваться при выборе элемента, надо на нагрузку, на которую он будет работать. Например, применение IRF740 станет нерентабельным лишь при U

Имел дело с данным типом транзисторов, но к сожалению отрицательный. В свое время делал контроллер для трехфазного двигателя, который подключался через мою схему в сеть 220 В. К сожалению почему-то постоянно горели, хотя по осцилограммах все было в порядке и сдвиг фаз соблюдался правильный, а в качестве нагрузки использовал 3 лампочки по 50Вт, подключенных треугольником.

Не совсем понятно, для какого двигателя и какой контролер вы делали? Трехфазники, как правило предназначены для работы в 220-вольтовой трехфазной электросети. А данный транзистор рассчитан на полсотни. Частотным преобразователям для таких двигателей нужны совсем другие транзисторы.
В любом случае, как нагрузка импульсных преобразователей, лампочка вместо обмотки двигателя — не гуд. У нее очень низкое сопротивление в холодном состоянии, что обуславливает резкий токовый скачек при включении. Это надо учитывать.

Добрый день. На принципиальной схеме транзистора затвор ошибочно именуется истоком. Исправьте, пожалуйста.

Научитесь правильно переводить МОм в Омы

пытался сделать преобразователь 12- 220 на IRF3205 горят при нагрузке 6 -7 А при этом даже не греются

А какой выброс напряжения сток-исток? Предположу, что горят из-за импульсного превышения напряжения.

Так думаю лучшее пока irfz44 низковольтные мосфеты получше , в инверторе на высокое, irf3205 работают но не долго:(

У вас на картинке два истока, исправьте

На Али продают KIA3205 с заявленными 5,5 милиОм примерно в районе 6$ за десяток ,
закажу для проверки , интересно , хотя есть и другие по 10$ за 10 $ но без маркировки производителя . Отпишусь на Али .
Спасибо за статью .

Зачем покупать, их полно в безперебойниках, называемых UPS.

Чё то выгорели они у меня на преобразователе. 12/550. Ватт 400 выжал 2 шт ставил irf3205. Работали но не долго.

Транзистор IRF3205

В документации (datasheet) по характеристикам от МОП-транзистора IRF3205 (HEXFET) говорится – это современный, высокопроизводительное устройство от компании International Rectifier (IR) с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень низкое сопротивление, в открытом состоянии, составляющее порядка 0,008 Ом. Из за низкого внутреннего сопротивления его часто используют для коммутации цепей в инверторах, электроинструменте, преобразователях постоянного тока и т.д.

Power MOSFET-транзистор отличается от обычного затвором с большей толщиной оксида кремния, выдерживающего высокое входное и выходное напряжение.

Распиновка транзистор irf3205 выполнена в пластиковом корпусе TO-220. Такой обычно применяется при мощности рассеяния до 50 Ватт. Три металлических, гибких вывода имеют следующее назначение: 1) З-затвор (G-gate); 2) С-сток (D-drain); 3) И-исток (S-source). Именно такое назначение и порядок следования выводов, если смотреть на маркировку, у всех транзисторов с префиксом “irf” в 220 корпусе.

Основные параметры

Для определения возможности использования транзистора irf 3205 в своем проекте необходимо изучить его технические характеристики. Они указываются в техническом описании (даташит) от производителя. Основные параметры изготовители представляют в двух таблицах, с наименование: абсолютные максимальные рейтинги и электрические характеристики.

Абсолютные максимальные рейтинги

Абсолютные максимальные рейтинги определяют предельные значения напряжений, тока, рассеиваемой мощности и рабочей температуры, которые способен выдержать полупроводниковый прибор в различных условиях эксплуатации. Надо знать, что эти величины устройство способно выдержать, но это не значит, что возможна его эксплуатация при таких значениях. Использование устройства на максимальных параметрах однозначно приведет к выходу его из строя. У irf3205 следующие максимальные параметры:

Необходимо внимательней отнестись к этим значениям. Иногда производители хитрят и указывают не применимые на практике величины. Так, максимальный заявленный ток стока (ID) у irf3205, указанный в первой строке таблицы, равен 110 A. Однако можно сказать, что это значение не более чем рекламный ход изготовителя, способствующий возможным продажам. Кристалл рассматриваемого прибора действительно может выдержать такой ID, но не корпус ТО-220 в который он заключен, ограниченный током 75 А. Об этих ограничениях в применении производитель указывает только в конце таблицы.

Электрические характеристики

В таблица электрических характеристик все параметры проверены производителем с учетом условий измерений, указных в столбце с соответствующим названием. Они проверяются при температуре окружающей среды менее 25 градусов. У данного устройства они следующие при TJ = 25 °C:

Тепловые параметры

Рассмотрим тепловые параметры irf3205. Они представлены в виде тепловых сопротивлений корпус-кристалл (RθJC=0.75°C /Вт) и кристалл-окружающая среда (RθJA=62°C /Вт). Для большинства современных полевых МОП-транзисторов RθJA определяется в первую очередь размещением элементов на печатной плате, а не самим полевым МОП-транзистором. Поэтому RθJA имеет меньшее значение для оценки тепловых характеристик, чем RθJC.

Маркировка

Первые символы маркировки указывают на изготовителя — International Rectifier (IR). Однако, так как транзистор выпускается очень давно (примерно с 2000 г.), выпуск его копии наладили и другие компании. Обновленные, безсвинцовые версии, размещенные в другом корпусе, содержат в конце маркировки символ “Z”: irf3205z (TO-220AB), irf3205zs (D2Pak), irf3205zl (TO262). Встречающиеся иногда символы «PbF» в конце , так же указывают на наличие безсвинцовой технологии изготовления.

Замена и аналоги

Аналог irf3205 можно подобрать из: BUK7508-55 (Philips), BUZ111S (Infineon), HRF3205 (Fairchild), HUF75343P3 (Fairchild, Intersil), 2SK2985 (Toshiba), MTP75N05 (ON Semiconductor), 2SK2985 (Toshiba), STP80NE06 (STMicroelectronics), SUB75N06, IRFD120 (Vishay). Полным отечественным аналогом является КП783A.

Комплементарная пара

Комплементарной пары у irf3205 нет.

Принцип работы

Назначение выводов сток и исток у мосфетов аналогичны контактам коллектора и эмиттера биполярного транзистора. Эти выводы делаются из материала n-типа, а корпус устройства и подложка из материала p-типа. Добавление диоксида кремния SiO2 на подложку образует тонкий слой диэлектрика, который отделяет клемму затвора от всего корпуса.

Получается однополярное устройство, в котором проводимость осуществляется движением электронов. Область между стоком и истоком образуют свободную от носителей заряда зону. Ее насыщение электронами управляется путем подачи положительного напряжения на клемму затвора.

Оно изменяет распределение заряда в полупроводнике, поэтому дырки под слоем диэлектрика, под действием электрического поля двигаются вниз, а свободные электроны притягиваются к области вверх, образуя таким образом n-переход. По этому переходу в последующем и течет электрический ток, сила которого зависит от величины приложенного на затвор напряжения. Возможная схема включения irf3205 показан на рисунке ниже.

Так же, в зависимости от величины управляющего сигнала МОП-транзистор закрываться (низкая проводимость) или в открываться (высокая проводимость).

Правила безопасности

Основная причина отказа у полевых транзисторов — КЗ между контактами стока-истока. В таком случае только внутреннее сопротивление источника напряжения сдерживает максимальный ток. Из за КЗ кристалл устройства плавится. А повышенное напряжение на затворе разрушает тонкий слой диэлектрика MOSFET. Таким образом, затвор irf3205 разрушится если напряжение на нем будет превысит 25 вольт. Производители советуют выбирать транзистор с 30% запасом по ожидаемым параметрам, при этом должны быть соблюдены требования по подавлению различных скачков напряжения и тока.

Применение

Предельно допустимое напряжение сток-исток до 55 В, позволяют использовать транзистор IRF 3205 в преобразователях напряжения работающих от 12 до 36 В, в бесперебойных источниках питания и др. Он так же популярен при работе в ключевом режиме в повышающих высокочастотных инверторах, например автомобильных. Посредством параллельного включения нескольких корпусов есть возможность построения преобразователей, рассчитанных на значительные токи. На видео можно посмотреть одну из простейших схем собранных на irf 3205 – сенсорный выключатель.

Производители

Далее можете скачать DataSheet транзистора IRF3205 от нескольких производителей. В России наиболее распространены: International Rectifier; Infineon Technologies. Однако, встречаются и других марок: First Silicon, Nell, Kersemi Electronic и др.

Irf3205 характеристики на русском языке

IRF3205 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF3205

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 98 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 146 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

IRF3205 Datasheet (PDF)

PD — 95106 IRF3205SPbF IRF3205LPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D VDSS = 55V l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 8.0mΩ G l Fully Avalanche Rated l Lead-Free ID = 110A… S Descriptiסn Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques t

RoHS IRF3205 Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET (110A, 55Volts) DESCRIPTION The Nell IRF3205 is a three-terminal silicon device with current conduction capability D D of 110A, fast switching speed, low on-state resistance, breakdown voltage rating of 55V, and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed as an extremely efficient

PD-94791B IRF3205PbF HEXFET® Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D VDSS = 55V l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 8.0mΩ G l Fully Avalanche Rated l Lead-Free ID = 110A… S Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve e

PD — 95129A IRF3205ZPbF IRF3205ZSPbF IRF3205ZLPbF Features l Advanced Process Technology HEXFET® Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance D l 175°C Operating Temperature VDSS = 55V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 6.5mΩ l Lead-Free G Description ID = 75A S This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve e

1.5. irf3205s.pdf Size:160K _international_rectifier

PD — 94149 IRF3205S/L HEXFET� Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175�C Operating Temperature RDS(on) = 8.0m? G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 110A S Description Advanced HEXFET� Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on- resistance

1.6. irf3205 .pdf Size:97K _international_rectifier

PD-91279E IRF3205 HEXFET� Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175�C Operating Temperature RDS(on) = 8.0m? G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 110A S Description Advanced HEXFET� Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per s

1.7. irf3205.pdf Size:92K _international_rectifier

PD-91279E IRF3205 HEXFET� Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175�C Operating Temperature RDS(on) = 8.0m? G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 110A S Description Advanced HEXFET� Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per s

1.8. irf3205z.pdf Size:181K _international_rectifier

PD — 94653 AUTOMOTIVE MOSFET IRF3205Z HEXFET� Power MOSFET Features D ? Advanced Process Technology VDSS = 55V ? Ultra Low On-Resistance ? 175�C Operating Temperature RDS(on) = 6.5m? ? Fast Switching G ? Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID = 75A S Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET� Power MOSFET utilizes the latest processing techni

1.9. irf3205.pdf Size:450K _first_silicon

SEMICONDUCTOR IRF3205 TECHNICAL DATA N-Channel Power MOSFET (55V/120A) Purpose Suited for low voltage applications such as automotive, DC/DC Converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated products Feature Low RDS(on),low gate charge,low Crss,fast switching. Absolute maximum ratings(Ta=25℃) Parameter Symbol Rating Unit 1.Gate

Транзистор Irf3205: аналоги, характеристики, схемы, чем заменить

IRF3205 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики

  • Наименование прибора: IRF3205
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 98 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 146 nC
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
  • Тип корпуса: TO220AB

IRF3205 – это N-канальный мощный полевой транзистор предназначен для работы в ключевом режиме. IRF3205 используется в регуляторах мощности, переключателях, преобразователях, в которых необходима повышенная скорость переключения.

Характеристики популярных аналогов

Наименование прибора: SSFM8005

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 376 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 80 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 180 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 96 nC
  • Время нарастания (tr): 12.2 ns
  • Выходная емкость (Cd): 670 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
  • Тип корпуса: TO220AB

Наименование прибора: SQP120N06-06

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 175 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
  • Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 119 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Время нарастания (tr): 14 ns
  • Выходная емкость (Cd): 708 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
  • Тип корпуса: TO-220AB

Наименование прибора: PSMN7R8-100PSE

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 294 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
  • Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 128 nC
  • Время нарастания (tr): 48 ns
  • Выходная емкость (Cd): 450 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0078 Ohm
  • Тип корпуса: TO-220AB

Наименование прибора: PSMN7R8-100PSE

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 294 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
  • Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 128 nC
  • Время нарастания (tr): 48 ns
  • Выходная емкость (Cd): 450 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0078 Ohm
  • Тип корпуса: TO-220AB

Наименование прибора: PSMN7R0-100PS

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 269 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
  • Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A
  • Общий заряд затвора (Qg): 125 nC
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0068 Ohm
  • Тип корпуса: TO220AB

Наименование прибора: PSMN6R5-80PS

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 210 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 80 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
  • Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 71 nC
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0069 Ohm
  • Тип корпуса: TO220AB

Источник питания на полевых транзисторах типа IRF3205

Для питания различных транзисторных конструкций ре­шил собрать источник питания (далее — ИП) со стабилизато­ром на полевых транзисторах, так как они имеют малое па­дение напряжения при больших токах в нагрузке.

Собрал и проверил схему стабилизатора RK9UC [1], по­казанную на рис.1. Эта схема выбрана из-за того, что имеет узел ограничения тока в нагрузке (за это отвечают элементы R6 R7 и VT5, выделенные на рис.1 рамкой). Узел ограничения тока в нагрузку позволяет уменьшить послед­ствия аварийных ситуаций, поскольку надеяться только на один предохранитель не очень разумно. Правда, мне не понравилось место установки «датчика тока» R7 в схеме.

Перед сборкой стабили­затора, показалось, что из-за него возможна про­садка выходного напря­жения. Так как из-за па­дения напряжения на «датчике тока» R7 «регу­лируемый стабилитрон» DA1 будет неправильно корректировать выходное напряжение.

При испытании ИП, уже при токе нагрузки всего 4 А напряжение на нагрузке проседало с 14,56 до 13,72 В. При закорачивании «датчика тока» R7 «просадка» значительно уменьшалась.

Чтобы спасти изготовленный мною ИП от радикальных переделок, было принято решение, перенести элементы R6, R7 и VT5 в цепь положительного напряжения, и поставить их перед стабилизатором, между выходом выпрямителя и сто­ками полевых транзисторов, так как сделал RA3WDK [2].

Работа устройства

Схема доработанного ИП показана на рис.2. Он обеспе­чивает выходное напряжение в пределах 9… 17 В, при токе в нагрузку до 14 А, это значение тока ограничено мощнос­тью примененного трансформатора Тр1 типа ТС-180. Если применить трансформатор типа ТС-270, максимальный ток может быть 20 А. При этом придется добавить еще один тран­зистор типа IRF3205, включенный параллельно транзисторам VT3 и VT4.

Для работы стабилизатора на полевых транзисторах VT3 и VT4 необходимо, чтобы напряжение на входе выпрямите­ля было на 2…3 В больше чем на выходе.

Но для нормальной работы полевых транзисторов VT3 и VT4 типа IRF3205 напряжение на их затворах должно быть на 5…7 В больше чем на истоках. Для этого нужно либо поднять выпрямленное напряжение на входе всего стабили­затора или использовать дополнительный удвоитель напря­жения на элементах СЗ VD5 VD6 С6 для питания цепи за­творов транзисторов VT3 и VT4.

При увеличении тока нагрузки свыше расчетного, паде­ние напряжения на резисторе R2 превысит значение 0,7 В. Это напряжение, через резистор R3 будет приложено к пе­реходу база-эмиттер транзистора VT1, открывая его. Ток через открытый переход коллектор-эмиттер транзистора VT1 и резисторы R4 и R5, создает падение напряжения на ре­зисторе R5. Это напряжение, приложенное к переходу ба­за-эмиттер транзистора VT2, открывает его. Открытый пе­реход коллектор-эмиттер транзистора VT1 шунтирует «ре­гулируемый стабилитрон» DA1, вследствие чего выходное напряжение уменьшается на столько, на сколько это необ­ходимо для ограничения тока в нагрузке, согласно задан­ной величине.

Резисторы R7 и R9 предназначены для равномерного распределения тока между полевыми транзисторами VT3 и VT4. Стабилитрон VD8 служить для защиты цепи стоков полевых транзисторов VT3 и VT4. Конденсатор С7 служит для повышения помехоустойчивости узла ограничения тока в нагрузке.

Конструкция и детали

Детали для помехоподавляющего фильтра С1, L1, С2 взя­ты от импортного компьютерного монитора. Силовой транс­форматор Тр1 типа ТС-180, у которого смотаны вторичные обмотки, а вместо них намотано по одной обмотке на каж­дой катушке с выходным напряжением 9 В, которые вклю­чены последовательно.

Диодный мост VD1 — VD4 — диоды с барьером Шоттки, например КД2999, КД2997. Подстроенный резистор R12, для установки выходного напряжения, проволочный, установлен­ный на передней панели. Резистор R2 состоит из двух, со­единенных параллельно, резисторов 0,1 Ом 5 Вт.

Емкость конденсаторов С4 и С5 выбирается из расчета 1000 мкФ на каждый 1 А требуемого максимального тока нагрузки.

Транзистор VT1 — маломощный p-n-p, например КТ361 с любым буквенным индексом. Транзистор VT2 – n-p-n, на­пример КТ815, КТ817 с любым буквенным индексом. Транзисторы VT3 и VT4 установлены на радиатор, площадью 200…250 см 2 . Стабилитрон VD8 — симметричный, на напря­жение 8… 12 В, например КС210А, КС213А,

Микроамперметр РА1 на 150 — 200 мкА от кассетных маг­нитофонов, например М68501, М476/1. Родная шкала снята, вместо нее установлена самодельная шкала, изготовленная с помощью программы FrontDesigner_3.0.

Настройка источника питания

Изменяя сопротивление резисторов R11 и R13, устанав­ливаем пределы регулировки выходного напряжения. При ука­занных сопротивлениях резисторов R11 — R13 выходное на­пряжение регулируется в пределах 9… 17 В.

Нагружаем ИП на эквивалент нагрузки, мощный резис­тор с сопротивлением 1… 1,5 Ом. Последовательно с экви­валентом подключаем образцовый амперметр. Подбором сопротивления резистора R1 калибруем амперметра РА1. Движком резистора R12 увеличиваем напряжение на выхо­де, тем самым увеличиваем ток в нагрузку сверх расчетно­го уровня. Смотрим, есть ли ограничение тока, работает ли стабилизация тока?

Результаты после переделки ИП:

  • Напряжение Uxx = 14,64 В;
  • При токе нагрузки 12 А напряжение на нагрузке 14,52 В.

Изготовленный ИП мною часто используется для пита­ния аккумуляторного шуруповерта, у которого вышла из строя аккумуляторная батарея.

Литература;

Автор: Василий Мельничук, г. Черновцы

Читать еще:  Gorenje температура духовки по цифрам
Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector