International rectifier страна производитель

International Rectifier

публичная компания (NYSE:IRF)

Эль Сегундо, штат Калифорния

Эрик Лайдо (Eric Lidow), председатель Совета директоров
Александр Лайдо (Alexander Lidow), CEO

полупроводниковые компоненты систем электропитания

1.71 млрд.долларов США (2006)

International Rectifier — американский разработчик и производитель электронных компонентов. Специализируется на изделиях для систем электропитания: силовые транзисторы, импульсные стабилизаторы, микросхемы управления импульсными преобразователями, электродвигателями, люминесцентными лампами и др. Номенклатура изделий International Rectifier (с префиксами IR, IRF) стала де-факто стандартом [источник не указан 1052 дня] силовой электроники и широко используется независимыми производителями. Собственные производства базируются в США, Великобритании, Мексике.

Содержание

  • Август 1947 — основано производство селеновых выпрямителей, именем которых и названа компания. IR по сей день выпускает широкую гамму выпрямительных диодов и диодных сборок.
  • 1954 — стала одним из первых в мире промышленных производителей германиевыхполупроводниковых приборов
  • 1958 — начато промышленное производство полупроводниковых стабилитронов и фотоэлементов
  • 1959 — выпуск первого в мире тиристора (SCR)
  • 1962 — разработка эпитаксиального технологического процесса производства силовых тиристоров
  • 1974 — выпуск первых в мире силовых транзисторов с пассивацией стеклом
  • 1979 — выпуск первых в мире силовых МДП-транзисторов с сотовой топологией под торговой маркой HEXFET
  • 1983 — патентуется IGBT транзистор. Выпускается первая в мире микросхема управления высоковольтным стабилизатором
  • 1996 — выпуск первого в мире МДП-транзистора с обратным диодом Шоттки под торговой маркой FETKY
  • 2003 — выпуск семейства компонентов для импульсных преобразователей DirectFET с исключительно высокой плотностью упаковки

Современные изделия IR

  • Дискретные силовые МДП-транзисторы и сборки
  • МДП-транзисторы со встроенным диодом Шотки, со встроенным драйвером затвора и т.п.
  • Дискретные силовые IGBT транзисторы и сборки
  • Оптоэлектронные реле
  • Узлы управления параллельными источниками питания (ORing-контроллеры и сборки)
  • Микроэлектронные реле
  • Микросхемы управления синхронными выпрямителями
  • Микросхемы управления импульсными преобразователями напряжения
  • Электронная пуско-регулирующая аппаратура люминесцентных светильников и её компоненты
  • Микросхемы и сборки управления электродвигателями со встроенными магнитами и AD
  • Радиационно-устойчивые приборы и приборы повышенной отказоустойчивости для медицинской техники и авиации

В составе IR входит также подразделение EPI Services — изготовитель кремниевых монокристаллов и эпитаксиальных пластин для сторонних производителей интегральных схем. Завод EPI Services в Меса, (Аризона) — крупнейший в США производитель кремниевых кристаллов диаметром до 200 мм.

Литература

  • Силовые электронные приборы International Rectifier, Воронеж, 1998
  • Интеллектуальные силовые модули компании International Rectifier для электроприводов малой мощности Наберите в поисковике на этом сайте International Rectifier вылезет еще несколько статей. Некоторые очень любопытные.

Wikimedia Foundation . 2010 .

Смотреть что такое «International Rectifier» в других словарях:

International Rectifier — Rechtsform Public company (NYSE: IRF) Gründung 1947 … Deutsch Wikipedia

International Rectifier — Infobox Company company name = International Rectifier Corp company company type = Public (nyse|IRF) foundation = 1947 location = key people = Eric Lidow, Founder Richard Dahl, Chairman Oleg Khaykin, CEO industry = Semiconductor Integrated… … Wikipedia

Inward-rectifier potassium ion channel — Inwardly rectifing potassium channels (Kir, IRK) are a specific subset of potassium selective ion channels. To date, seven subfamilies have been identified in various mammalian cell types.cite journal |author=Kubo Y, Adelman JP, Clapham DE, Jan… … Wikipedia

Lycee Pilote Innovant International — Lycée pilote innovant international Le Lycée Pilote Innovant International (LP2I) ou lycée du Futuroscope anciennement Lycée Pilote Innovant (LPI) est un lycée ouvert en septembre 1987 sur le Téléport 5 de la technopole du Futuroscope à Jaunay… … Wikipédia en Français

Lycée Pilote Innovant International — Le Lycée Pilote Innovant International (LP2I) ou lycée du Futuroscope anciennement Lycée Pilote Innovant (LPI) est un lycée ouvert en septembre 1987 sur le Téléport 5 de la technopole du Futuroscope à Jaunay Clan, près de Poitiers. En forme de… … Wikipédia en Français

Lycée Pilote Innovant international — Le Lycée Pilote Innovant International (LP2I) ou lycée du Futuroscope anciennement Lycée Pilote Innovant (LPI) est un lycée ouvert en septembre 1987 sur le Téléport 5 de la technopole du Futuroscope à Jaunay Clan, près de Poitiers. En forme de… … Wikipédia en Français

Institut Charles Darwin international — Pour les articles homonymes, voir Darwin (homonymie). L’Institut Charles Darwin International a été créé au mois de mars 1998 par Patrick Tort. Autour de l auteur du Dictionnaire du darwinisme et de l’évolution (1996), il s agit de poursuivre son … Wikipédia en Français

Institut charles darwin international — Pour les articles homonymes, voir Darwin (homonymie). L’Institut Charles Darwin International a été créé au mois de mars 1998 par Patrick Tort. Autour de l auteur du Dictionnaire du darwinisme et de l’évolution (1996), il s agit de poursuivre son … Wikipédia en Français

Lycée pilote innovant international — Le Lycée Pilote Innovant International (LP2I) ou lycée du Futuroscope anciennement Lycée Pilote Innovant (LPI) est un lycée ouvert en septembre 1987 sur le Téléport 5 de la technopole du Futuroscope à Jaunay Clan, près de Poitiers. En forme de… … Wikipédia en Français

Institut Charles Darwin International — Pour les articles homonymes, voir Darwin (homonymie). L’Institut Charles Darwin International a été créé au mois de mars 1998 par Patrick Tort. Autour de l auteur du Dictionnaire du darwinisme et de l’évolution (1996), il s agit de poursuivre son … Wikipédia en Français

International Rectifier

Компания International Rectifier является одной из ведущих мировых компаний по производству силовых полупроводниковых приборов. За полувековую историю развития она превратилась в ведущего производителя мощных полупроводниковых компонентов для автомобильной, бытовой, компьютерной, осветительной, военной и аэрокосмической техники. Все производства компании сертифицировано по стандартам ISO 9901 и QS 9000.
— компоненты IR способствуют широкому распространению приводов с регулируемой скоростью, от конвейерных лент до стиральных машин,
— с компонентами IR компьютерная техника увеличивает срок экслуатации,
— технологии IR повышают эффективность систем автоэлектроники, способствуют экономичному расходу топлива.

Продукция

— высокоэффективные аналоговые и цифровые микросхемы, а также микросхемы смешанных сигналов
— интегрированные решения на основе микросхем
— силовые компоненты и модули
— дискретные компоненты

Лидер технологий

Компания IR является обладателем уникальных МОП-технологий, позволяющих значительно сократить габаритные размеры компонентов, улучшить теплоотдачу, повысить эффективность и производительность. Многие технологические и инженерные решения IR стали промышленными стандартами в силовой электронике.

IR производит самую широкую гамму устройств для всего цикла преобразования входного напряжения в требуемый для различного электрообрудования вид энергии:

Входные каскады для преобразования сетевого переменного напряжения в постоянное: диоды, диодные мосты, тиристоры и сборки на их основе;

Микросхемы управления процессом преобразования энергии: ИС управления МОП-транзисторами, гибридные ИС, стабилизаторы с низким падением напряжения, ШИМ-контроллеры, комбинированные ИС управления, силовые и интеллектуальные ключи, ИС для электронных баластов;

Ключевые каскады для включения и выключения электрической нагрузки: силовые MOSFET транзисторы, IGBT транзисторы, IGBT модули, тиристоры;

Выходные каскады для регулирования подачи электрической энергии от нескольких ампер до 8000 А: диоды Шоттки, быстровосстанавливающиеся диоды, ультрабыстрые диоды, HEXFRED диоды;

Каскады распределения и подачи электроэнергии в нагрузку: MOSFET транзисторы и микроэлектронные реле;

Интегрированные решения для оптимизации работы всей схемы и улучшения выходной эффективности электроустройства: аналоговые ИС, силовые системы, интеллектуальные силовые модули для трехфазных электродвигателей и сервоприводов iNTERO и другие устройства.

Архитектура Accelerator предназначена как для маломощных, так и для высокомощных индустриальных АС приводов, сервоприводов, а также для управления агрегатами бортового применения и автомобильными системами.

Компания IR была основана Лионом Лидовым и его сыном Эриком в августе 1947 года, в Лос-Анжелесе, для производства селеновых выпрямителей и, по существу, стала первой независимой компанией по производству полупроводников в мире. В конце 50-х годов компания первой освоила промышленное производство германиевых диодов, стабилитронов и солнечных элементов.

IR — 60 лет лидерства технологий

В непрерывных поисках новых технологических решений были созданы:
— 1959 г. — первый кремниевый тиристор (SCR)
— 1962 г. — первая эпитаксиальная технология для производства стабильного высоковольтного тиристора
— IR — первые поставки высоконадежных устройств для космической промышленности
— 1974 г. — применение пассивации стеклом для производства силовых транзисторов и транзисторов Дарлингтона
— 1979 г. — первый силовой транзистор HEXFET с гексагональной структурой
— 1983 г. — разработка одной из первых в мире интеллектуальной мощной ИС ChipSwitch
— 1983 г. — получение патентов на производство мощных МОП и IGBT транзисторов
— 1983 г. — первая в мире высоковольтная мощная ИС
— 1993 г. — первый SmartFET транзистор
— 1996 г. — первая четырехмасочная MOSFET технология
— 1996 г. — технология FETKY — MOП-транзистор и диод Шоттки в одном корпусе
— 1999 г. — первый высокоплотный планарный MOSFET транзистор с низким уровнем сопротивления в открытом состоянии
— 2000 г. — низкопрофильные SMT корпуса FlipFET для портативных устройств
— 2001 г. — интегрированные блоки iPOWIR для DC-DC конвертеров
— 2002 г. — линейка корпусов DirectFET для высокоэффективных DC-DC конвертеров
— 2003 г. — платформа iMOTION для приводов с регулируемой скоростью вращения

Читать еще:  Equipe artisan rose mallow

Продукция IR используется везде, где требуется увеличить производительность и надежность конечного электрооборудования: в бытовой технике, промышленных электроприводах, автомобильных системах и устройствах передачи данных. IR является единственной компанией в мире, которая производит и поставляет самый полный спектр компонентов для всего цикла преобразования энергии, от входных каскадов до схем подачи напряжения в нагрузку.

International Rectifier (IR) (Symbol:IRF—NYSE) is a pioneer and world leader in advanced power management technology, from digital, analog and mixed-signal ICs to advanced circuit devices, power systems and components. The world’s leading manufacturers of computers, appliances, automobiles, consumer electronics and defense systems rely on IR technology to drive the performance and efficiency of their products. Today, power management technology plays a more important role than ever in saving the world’s dwindling energy reserves while tackling tough technology roadblocks.

  • IR technology makes variable-speed operation practical and affordable for everything from conveyor belts to washing machines.
  • We allow laptop computers to run longer.
  • We’re raising the bar for vehicle performance and fuel economy with electronic steering and a host of other advances.

Technology Leader

  • Digital, analog and mixed-signal ICs, advanced circuit devices, power systems and components
  • We pioneered and hold key patents on technology that created the $5 billion power MOSFET industry.
  • We focus completely on power chips and subsystems, and we create proprietary products that add more value to our customers’ end products.
  • Our high-volume dedicated fab sets the benchmark for cost in our industry.
  • We invest aggressively in R&D, and we’re generating a flow of highly-differentiated products targeted to high-growth applications.
  • IR has the products, capacity, and cost structure to grow and build shareholder value.

Products

  • High performance analog, digital and mixed-signal ICs
  • Advanced circuit devices
  • Power systems
  • Components

IR — Six Decades of Technology Leadership
International Rectifier was founded in Los Angeles in August 1947 to manufacture Selenium rectifiers. IR was one of the first companies to commercialize Germanium rectifiers in 1954, and the first to introduce commercial zener diodes and solar cells in 1958. IR’s 50-year legacy of power semiconductor technology «firsts» include:

  • The first silicon controlled rectifier (SCR) in 1959
  • Development of the first epitaxial process in 1962 for producing the industry’s most stable high voltage SCRs.
  • One of the first suppliers of hi-reliability devices for space applications
  • Introduction of the first power transistors and Darlington transistors to use glass passivation in 1974
  • The first hexagonal-celled power MOSFET, trademarked HEXFET ® in 1979
  • Introduction of one of the world’s first intelligent power ICs called the ChipSwitch® in 1983
  • First patents issued for power MOSFET and IGBT products in 1983
  • Introduced the world’s first high voltage power IC in 1983
  • The world’s first SmartFET in 1993
  • The world’s first four mask MOSFET manufacturing process in 1996
  • The world’s first MOSFET and Schottky in a single package or FETKY ® product in 1996
  • The world’s highest density and lowest RDS(on) self-aligned planar and trench MOSFETs in 1999
  • FlipFET® wafer-level packaging for portable applications in 2000
  • iPOWIR™ integrated building blocks for DC-DC converters in 2001
  • DirectFET®, a packaging technology breakthrough for high performance DC-DC converters in 2002
  • iMOTION™ integrated design platform for variable speed motor drive in 2003

Advanced Circuits and Integrated Solutions
IR’s latest product introductions provide a higher degree of value to customers seeking to optimize the performance of their power designs while simplifying and shortening their design cycles.

IR’s iMOTION™ architecture offers engineers an alternative design platform for high performance digital motor drive design. It promises positive implications for today’s low power AC drives, high power industrial AC drives, high performance servo applications as well as emerging aerospace fly-by-wire and automotive drive-by-wire systems.

Multi-chip modules, like the iPOWIR™- intelligent scalable building blocks, simplify power design and boost performance for the latest generation of low-voltage processors in single- and multi-phase topologies. IR’s expertise in device matching and «short trace» layout deliver this optimized solution that combines multiple power semiconductors, ICs, and passive components into a single BGA package.

Power Management ICs
Thanks to the development of a unique high voltage (600 & 1200V), junction isolated BCDMOS fabrication process, IR produces one of the most capable lines of control, level shift, and gate drive ICs available on the market. These chips are used in designs requiring a high-current gate drive that needs to be level shifted from ground by more than a few volts. More sophisticated ICs are now in development that include PWM control and high speed digital control and interface circuits. IR also has an NMOS/CMPS power IC process for SmartFETs and Intelligent Power Switches. These components combine the functionality of a power MOSFET with analog and digital circuitry on a single chip. These two technologies have enabled key circuits in advanced high density power converters, motor controllers, and automotive electronics, now on the market. IR recently added Low Drop-Out voltage regulators and switching controllers to its product line to meet the rapidly evolving needs of DC-DC power management in the information technology equipment market.

IR HEXFET ® Power MOSFET Technology
International Rectifier pioneered HEXFET power MOSFET technology, developing and introducing the first hexagonal topology MOSFETs in 1979. These developments were granted a broad patent just four years later, and since that time, most MOSFET manufacturers have licensed the designs and processes to enter this marketplace.

In December 1995, IR launched a new generation of MOSFET technology, based on an advanced four-mask process that utilizes innovative self-alignment features to improve manufacturing precision and increase yields. Using the simplified process, the company has manufactured MOSFETs with a low cycle time, compared with requirements for the six-step process in use by the rest of the power semiconductor industry. This process also allows junction depths up to 40 percent smaller than conventional processes, thereby greatly reducing the transistor junction resistance while increasing ruggedness. Leveraging its manufacturing expertise, IR developed and introduced in 1999 a stripe planar technology with a fully self-aligned manufacturing process that features highest density planar structure to provide extremely low on-resistance, excellent high-frequency operation, industry-best ruggedness and excellent manufacturing cast and cycle time.

In that same year, IR introduced a family of the industry’s highest cell density and lowest RDS(on) trench MOSFETs. This technology was focused on the latest products for handsets, laptop computers and a variety of other portable electronic devices.

IR products exhibit the lowest MOSFET on-resistance available on the market for similar components in their class, enabling power conversion subsystem designs that exhibit unequaled efficiency. IR combines state-of-the-art silicon technology with innovative packaging technology. IR POWIRTAB™, Super-220™ and Super-247™ packages allow up to 20A more current per device in the same footprint than standard packages, increasing power density. Compatible with standard surface-mount soldering techniques, IR’s FlipFET® packaging technology offers a 100% silicon to footprint ratio with the same performance as a conventional package 3 times as big making it the ideal solution for portable devices such as portable phones or notebook PCs. IR’s DirectFET® packaging revolutionizes thermal management in the footprint of a standard SO-8 by drawing heat away from the board through the top of the package. As a result, DirectFET MOSFETs can double current density while cutting thermal management cost in half in high current circuits that power next generation microprocessors.

IGBTs
IR manufactures a wide range of IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors)- voltage controlled power transistors used to provide the basic output function in power conversion systems. They have become the preferred output solution in almost all high voltage, high current, moderate frequency applications. IR IGBTs offer higher current densities than equivalent high-voltage power MOSFETs, and are faster with superior drive and output characteristics than comparable power bipolar transistors. In 1999, IR introduced NPT technology for IGBT reducing power losses by 20% and significantly improving cost and manufacturability. In 2001, the family is expanding to include 600V devices.

Micro-Electronic Relays(MERs)
IR’s line of MERs include two capabilities: MOSFET- and IGBT-based photovoltaic relays and photovoltaic isolator products. The former are ideal solid-state relays for switching AC and DC loads and sensory signals from a few miliamps to several hundred watts in industrial controls, instrumentation, peripheral telecom devices, computer peripherals and office equipment. The latter offer single- and dual-channel, optically isolated outputs that can be used for directly driving the gates of discrete power MOSFETs and/or IGBTs, giving designers the flexibility of creating their own, custom-made solid-state relays capable of controlling loads well over 1,000 volts and 100 amps.

Focused Markets

  • Aerospace and Defense
  • Automotive
  • Class D Audio
  • Computing and Communications
  • Lighting
  • Motion Control
  • Plasma and Display

Global Manufacturing Capabilities
International Rectifier is a global manufacturer with major ISO-9001-certified wafer fabrication and assembly facilities located in Newport, Wales; San Jose, CA; El Segundo, CA; Leominster, MA; Temecula, CA; Mesa, AZ; and Tijuana, MX

International Rectifier

публичная компания (NYSE:IRF)

Эрик Лайдо (Eric Lidow), председатель Совета директоров
Александр Лайдо (Alexander Lidow), CEO

полупроводниковые компоненты систем электропитания

1.71 млрд.долларов США (2006)

International Rectifier — американский разработчик и производитель электронных компонентов. Специализируется на изделиях для систем электропитания: силовые транзисторы, импульсные стабилизаторы, микросхемы управления импульсными преобразователями, электродвигателями, люминесцентными лампами и др. Номенклатура изделий International Rectifier (с префиксами IR, IRF) стала де-факто стандартом К:Википедия:Статьи без источников (тип: не указан) [источник не указан 3698 дней] силовой электроники и широко используется независимыми производителями. Собственные производства базируются в США, Великобритании, Мексике.

Содержание

  • Август 1947 — основано производство селеновых выпрямителей, именем которых и названа компания. IR по сей день выпускает широкую гамму выпрямительных диодов и диодных сборок.
  • 1954 — стала одним из первых в мире промышленных производителей германиевыхполупроводниковых приборов
  • 1958 — начато промышленное производство полупроводниковых стабилитронов и фотоэлементов
  • 1959 — выпуск первого в мире тиристора (SCR)
  • 1962 — разработка эпитаксиального технологического процесса производства силовых тиристоров
  • 1974 — выпуск первых в мире силовых транзисторов с пассивацией стеклом
  • 1979 — выпуск первых в мире силовых МДП-транзисторов с сотовой топологией под торговой маркой HEXFET
  • 1983 — патентуется IGBT транзистор. Выпускается первая в мире микросхема управления высоковольтным стабилизатором
  • 1996 — выпуск первого в мире МДП-транзистора с обратным диодом Шоттки под торговой маркой FETKY
  • 2003 — выпуск семейства компонентов для импульсных преобразователей DirectFET с исключительно высокой плотностью упаковки
  • 2014 — куплена компанией Infineon Technologies за 3 млрд. долларов
  • 2015 — официально стала частью Infineon Technologies

Современные изделия IR

  • Дискретные силовые МДП-транзисторы и сборки
  • МДП-транзисторы со встроенным диодом Шотки, со встроенным драйвером затвора и т.п.
  • Дискретные силовые IGBT транзисторы и сборки
  • Оптоэлектронные реле
  • Узлы управления параллельными источниками питания (ORing-контроллеры и сборки)
  • Микроэлектронные реле
  • Микросхемы управления синхронными выпрямителями
  • Микросхемы управления импульсными преобразователями напряжения
  • Электронная пуско-регулирующая аппаратура люминесцентных светильников и её компоненты
  • Микросхемы и сборки управления электродвигателями со встроенными магнитами и AD
  • Радиационно-устойчивые приборы и приборы повышенной отказоустойчивости для медицинской техники и авиации

В составе IR входит также подразделение EPI Services — изготовитель кремниевых монокристаллов и эпитаксиальных пластин для сторонних производителей интегральных схем. Завод EPI Services в Меса, (Аризона) — крупнейший в США производитель кремниевых кристаллов диаметром до 200 мм.

Напишите отзыв о статье «International Rectifier»

  • [www.irf.com/ Официальный сайт]
  • [www.compeljournal.ru/images/articles/2007_7_3.pdf/ Портрет компании]

Литература

  • Силовые электронные приборы International Rectifier, Воронеж, 1998
  • [www.power-e.ru/2005_02_30.php Интеллектуальные силовые модули компании International Rectifier для электроприводов малой мощности]

Отрывок, характеризующий International Rectifier

– Уехали, батюшка. Вчерашнего числа в вечерни изволили уехать, – ласково сказала Мавра Кузмипишна.
Молодой офицер, стоя в калитке, как бы в нерешительности войти или не войти ему, пощелкал языком.
– Ах, какая досада. – проговорил он. – Мне бы вчера… Ах, как жалко.
Мавра Кузминишна между тем внимательно и сочувственно разглядывала знакомые ей черты ростовской породы в лице молодого человека, и изорванную шинель, и стоптанные сапоги, которые были на нем.
– Вам зачем же графа надо было? – спросила она.
– Да уж… что делать! – с досадой проговорил офицер и взялся за калитку, как бы намереваясь уйти. Он опять остановился в нерешительности.
– Видите ли? – вдруг сказал он. – Я родственник графу, и он всегда очень добр был ко мне. Так вот, видите ли (он с доброй и веселой улыбкой посмотрел на свой плащ и сапоги), и обносился, и денег ничего нет; так я хотел попросить графа…
Мавра Кузминишна не дала договорить ему.
– Вы минуточку бы повременили, батюшка. Одною минуточку, – сказала она. И как только офицер отпустил руку от калитки, Мавра Кузминишна повернулась и быстрым старушечьим шагом пошла на задний двор к своему флигелю.
В то время как Мавра Кузминишна бегала к себе, офицер, опустив голову и глядя на свои прорванные сапоги, слегка улыбаясь, прохаживался по двору. «Как жалко, что я не застал дядюшку. А славная старушка! Куда она побежала? И как бы мне узнать, какими улицами мне ближе догнать полк, который теперь должен подходить к Рогожской?» – думал в это время молодой офицер. Мавра Кузминишна с испуганным и вместе решительным лицом, неся в руках свернутый клетчатый платочек, вышла из за угла. Не доходя несколько шагов, она, развернув платок, вынула из него белую двадцатипятирублевую ассигнацию и поспешно отдала ее офицеру.
– Были бы их сиятельства дома, известно бы, они бы, точно, по родственному, а вот может… теперича… – Мавра Кузминишна заробела и смешалась. Но офицер, не отказываясь и не торопясь, взял бумажку и поблагодарил Мавру Кузминишну. – Как бы граф дома были, – извиняясь, все говорила Мавра Кузминишна. – Христос с вами, батюшка! Спаси вас бог, – говорила Мавра Кузминишна, кланяясь и провожая его. Офицер, как бы смеясь над собою, улыбаясь и покачивая головой, почти рысью побежал по пустым улицам догонять свой полк к Яузскому мосту.
А Мавра Кузминишна еще долго с мокрыми глазами стояла перед затворенной калиткой, задумчиво покачивая головой и чувствуя неожиданный прилив материнской нежности и жалости к неизвестному ей офицерику.

В недостроенном доме на Варварке, внизу которого был питейный дом, слышались пьяные крики и песни. На лавках у столов в небольшой грязной комнате сидело человек десять фабричных. Все они, пьяные, потные, с мутными глазами, напруживаясь и широко разевая рты, пели какую то песню. Они пели врозь, с трудом, с усилием, очевидно, не для того, что им хотелось петь, но для того только, чтобы доказать, что они пьяны и гуляют. Один из них, высокий белокурый малый в чистой синей чуйке, стоял над ними. Лицо его с тонким прямым носом было бы красиво, ежели бы не тонкие, поджатые, беспрестанно двигающиеся губы и мутные и нахмуренные, неподвижные глаза. Он стоял над теми, которые пели, и, видимо воображая себе что то, торжественно и угловато размахивал над их головами засученной по локоть белой рукой, грязные пальцы которой он неестественно старался растопыривать. Рукав его чуйки беспрестанно спускался, и малый старательно левой рукой опять засучивал его, как будто что то было особенно важное в том, чтобы эта белая жилистая махавшая рука была непременно голая. В середине песни в сенях и на крыльце послышались крики драки и удары. Высокий малый махнул рукой.

International Rectifier

Историческая справка

Компания International Rectifier (IR)– является пионером и мировым лидером в разработке и производстве систем управления питанием аналоговых, цифровых и смешанных интегральных микросхем. Производимые компоненты используются ведущими интеграторами в области компьютерной техники, автомобильной промышленности, бытовой электроники. В числе клиентов компании — Motorola, STMicroelectronics, Toshiba, Mitsubishi, Philips, Intersil, Fairchild.

Год рождения корпорации International Rectifier – 1947. Ее основатель – инженер литовского происхождения Эрик Лидов. Вместе со своим отцом, эмигрировавшим в 1947 году в США, они находят инвесторов и открывают фирму по производству селеновых выпрямителей, в штате которой всего 6 человек.

В последующие годы компания стремительно развивается. Значимые открытия и разработки:
— 1954 г. – первый германиевый диод;
— 1958 г. – стабилитрон;
— 1959 г. — транзистор Дарлингтона.
— 1974 г. – выпуск биполярных транзисторов.

В этот же период происходит активное строительство производственных мощностей за пределами Америки: открываются заводы в Италии, Мексике, Канаде, Великобритании.

В 1977 году в компанию пришли работать сыновья Эрика, имевшие к этому времени ученые степени. После нескольких лет разработок они запатентовали технологию HEXFET, на основе которой все последующие годы строилось производство полупроводниковых приборов. Сегодня Алекс Лидов – президент и исполнительный директор IR.

В 80-90 гг. прошлого века компания стала монополистом рынка в области производства высоковольтных интегральных микросхем драйверов.

1994 г. – выпуск первого полупроводникового реле PVT412. Модель стала базовой в линейке этих продуктов и до сих пор находит новые сферы использования;
1995 г. — новое поколение MOSFET-транзисторов;
1999 г. – расширение ассортимента IGBT-транзисторов;

Окончательно упрочить позиции лидерства IR удалось в начале 2000 годов. В это время были приобретены:
— компания Omnirel, производитель полупроводниковых приборов;
— разработчик ИС Unisem;
— производители модульных источников питания Lambda Advanced Analog и Magnitude-3.

Штаб-квартира IR располагается в городе Эл Сигундо, Калифорния, США. Ежегодный доход в 2011 году составил 1,18 биллионов долларов. В штате IR занято 4500 служащих. Отделения и филиалы сосредоточены в 20 странах мира.

1. TSOP-6 HEXFET транзисторы малой мощности
Низковольтные транзисторы в корпусах TSOP-6 предназначены для использования в приборах малой мощности и объединяют в одном устройстве коммутацию нагрузки, ключи в блоках зарядки и разрядки для защиты аккумуляторов, а также ключи инвертеров. Транзисторы семейства MOSFET имеют низкое сопротивление канала, что позволяет размещать их в габаритных корпусах SOT-23 и SO-8. Литера S в семействе IRFTS* означает принадлежность их к приборам 5-го поколения с уменьшенными топологическими нормами.

2. IGBT транзисторы для автомобильной электроники
Отличительная особенность устройств – мягкий режим срабатывания, который используется в компонентах гибридных автомобильных двигателей. Корпуса — Super TO-220 разработаны специально для реализации параллельного подключения устройств.

3. Автомобильные силовые ключи
Приборы семейства AUIR3240S представляют собой понижающие конверторы. Сфера их применения – система пуска-остановки двигателей. Основные характеристики:
— выходной канал 15 В;
— диапазон входных напряжений, от 4 до 36 В;
— функция диагностики выходного тока;
— интерфейс для термодатчика.
Для автомобильной промышленности компания производит также высоковольтные драйверы, транзисторы DirectFET.

4. Микросхемы AC-DC
— ORing контроллеры;
— Микросхемы коррекции коэффициента мощности;
— Резонантные контроллеры;
— Микросхемы драйверов синхронных выпрямителей.

AC-DC преобразователи компании IR — это исключительно надежные устройства, которые используются в гражданской и военной электронике. Ассортимент DC/DC-преобразователей чрезвычайно широк:
— диапазон входных напряжений от 11 до 500 В;
— выходных – от 1,5 до 200 В;
— с различным уровнем экранирования;
— с различной выходной мощностью.

Кроме описанных продуктов производитель IR выпускает стабилизаторы напряжения, твердотельные реле, Hi-Rel компоненты.

Электронные компоненты класса Hi-Rel – это дискретные приборы, интегральные микросхемы и модули в разнообразных исполнениях. Доход компании от этого вида номенклатуры составляет около 16% от общей прибыли. В данном сегменте занято более 450 разработчиков компании. Основные потребители HiRel продукции — связь и радиолокация, транспорт, гражданская авиация, промышленность, медицинская отрасль. Сегодня это направление производитель декларирует, как профилирующее.

О компании International Rectifier

International Rectifier — разработчик и производитель компонентов для управлением энергопотреблением со штаб-квартирой в США. История International Rectifier началась в 1947 году, в Лос Анджелесе, США. За свою более чем полувековую историю International Rectifier достигла огромных успехов в производстве мощных полупроводниковых компонентов для автомобильной, бытовой, компьютерной, осветительной, военной и аэрокосмической техники. Продукция компании International Rectifier сертифицирована по стандартам ISO 9901 и QS 9000.

Кроме того, International Rectifier является обладателем уникальных МОП-технологий, позволяющих значительно сократить габаритные размеры компонентов, улучшить теплоотдачу, повысить эффективность и производительность. Многие технологические и инженерные решения, разработанные компанией International Rectifier превратились в действующие промышленные стандарты в силовой электронике.

Продукция IR используется везде, где требуется увеличить производительность и надежность конечного электрооборудования: в бытовой технике, промышленных электроприводах, автомобильных системах и устройствах передачи данных. IR является единственной компанией в мире, которая производит и поставляет самый полный спектр компонентов для всего цикла преобразования энергии, от входных каскадов до схем подачи напряжения в нагрузку.

Основные исторические вехи в развитии компании:

  • 1947 — основано производство селеновых выпрямителей, именем которых и названа компания
  • 1954 — стала одним из первых в мире промышленных производителей германиевых полупроводниковых приборов
  • 1958 — начато промышленное производство полупроводниковых стабилитронов и фотоэлементов
  • 1959 — выпуск первого в мире тиристора (SCR)
  • 1962 — разработка эпитаксиального технологического процесса производства силовых тиристоров
  • 1974 — выпуск первых в мире силовых транзисторов с пассивацией стеклом
  • 1979 — выпуск первых в мире силовых МДП-транзисторов с сотовой топологией под торговой маркой HEXFET
  • 1983 — патентуется IGBT транзистор. Выпускается первая в мире микросхема управления высоковольтным стабилизатором
  • 1996 — выпуск первого в мире МДП-транзистора с обратным диодом Шоттки под торговой маркой FETKY
  • 2003 — выпуск семейства компонентов для импульсных преобразователей DirectFET с исключительно высокой плотностью упаковки

Линейка продуктов International Rectifier включает MOSFETs (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors), высоковольтные/низковольтные интегральные микросхемы для обработки аналоговых и смешанных сигналов (High-Voltage/Low-Voltage Analog and Mixed Signal Integrated Circuits, HVIC/LVIC), транзисторы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors), DC/DC-преобразователи, в т.ч. для т.н. «ответственных» применений.

В числе наиболее интересных для российского рынка применений полупроводниковых компонентов International Rectifier – системы управления питанием (Power Management Devices, PMD), для которых предлагаются мощные MOSFETs и системы на основе энергосберегающих технологий (Energy-Saving Products, ESP). Системы на основе энергосберегающих технологий (ESP) используют высоковольтные интегральные микросхемы для обработки аналоговых и смешанных сигналов (HVIC), интегральные микросхемы цифрового управления, электронные реле, модули управления двигателями, высоковольтные DirectFET и IGBT. В качестве целевых приложений для ESP-компонентов компании International Rectifier рассматриваются стиральные машины, холодильники, системы кондиционирования и вентиляции, светотехнические приборы (лампы флуоресцентного свечения, светодиоды), системы управления для автомобильных двигателей, телевизионная и аудио техника.

После продажи своего подразделения, в которое входили продукты, выполненные по морально устаревшим на сегодняшний день технологиям, компания International Rectifier усилила свои позиции, сфокусировав акцент на создании инновационных высокотехнологичных продуктов и решений, в частности, на создании новых MOSFETs с эталонными характеристиками (Benchmark) в своем классе.

Сегодня компания International Rectifier сфокусирована на следующих секторах и группах продуктов:

— Развитие номенклатуры MOSFETs поставлено на первое место;
— Задача – вводить не менее 30 новых транзисторов в квартал;
— IR завершила разработку и объявила готовность к серийному производству с конца 2010 г. транзисторов на базе революционной платформы GaN On Si с перспективой значительного снижения Rds(on) и потерь мощности;
— Пересмотр ценовой политики – снижение цен на большую часть продуктов;
— Новые IR MOSFETs способны заменить порядка 30-ти различных типономиналов конкурентов и большое число аналогичных приборов предыдущих поколений IR.

Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector