A316j datasheet на русском

A316j datasheet на русском

Mouser Electronics has disabled TLS 1.0 to remain in alignment with the latest standards for security and data integrity.

Only browsers supporting TLS 1.1+ will be able to access the Mouser website as of September 2017.

Please upgrade your browser version or settings to restore access to the Mouser website.

Společnost Mouser Electronics vypnula šifrovací protokol TLS 1.0 za účelem sladění s nejnovějšími způsoby zabezpečení a zajištění nenarušenosti přenášených dat.

Od září 2017 bude možné používat webové stránky Mouser pouze s prohlížeči podporujícími TLS 1.1 a vyšší verze.

Přejděte na vyšší verzi prohlížeče nebo upravte nastavení a obnovte tak přístup na webové stránky Mouser.

Ověřte si správnost nastavení prohlížeče (Test your browser) na: www.ssllabs.com, www.howsmyssl.com

Mouser Electronics hat TLS 1.0 deaktiviert, um sicherzustellen, dass wir in Übereinstimmung mit den neuesten Standards für Sicherheit und Datensicherheit bleiben.

Nur Browser, die TLS 1.1+ unterstützen, können ab September 2017 auf die Mouser-Website zugreifen.

Aktualisieren Sie Ihre Browser-Version oder Ihre Einstellungen, um wieder Zugriff auf die Mouser-Website zu erhalten.

Mouser Electronics ha deshabilitado TLS 1.0 para permanecer alineados con las normas más recientes de seguridad e integridad de datos.

Solo los navegadores compatibles con TLS 1.1+ podrán acceder al sitio web de Mouser a partir de septiembre de 2017.

Actualice la versión o las configuraciones de su navegador para restablecer el acceso al sitio web de Mouser.

Mouser Electronics a désactivé TLS 1.0 afin de garantir sa conformité aux normes les plus récentes en matière de sécurité et d’intégrité des données.

Seuls les navigateurs prenant en charge TLS 1.1+ seront en mesure d’accéder au site Web de Mouser à partir de septembre 2017.

Veuillez mettre à jour la version ou les paramètres de votre navigateur afin de pouvoir accéder à nouveau au site Web de Mouser.

Testez vos paramètres en consultant la page : www.ssllabs.com, www.howsmyssl.com

Mouser Electronics ha disabilitato il TLS 1.0 per rimanere allineata con i più recenti standard di sicurezza e integrità dei dati.

A partire dal mese di settembre 2017 potranno accedere al sito web di Mouser unicamente i browser che supportano il TLS 1.1+.

Ti preghiamo di aggiornare la versione o le impostazioni del tuo browser per poter nuovamente accedere al sito web di Mouser.

Puoi verificare le tue impostazioni visitando: www.ssllabs.com, www.howsmyssl.com

ご使用中のブラウザのバージョンあるいは設定をアップグレードし、マウザーのウェブサイトへのアクセスを保持してください。

마우저 일렉트로닉스는 보안 및 데이터 무결성에 대한 최신 표준을 준수하기 위해 TLS 1.0을 비활성화했습니다.

따라서 2017년 9월부터는 TLS 1.1 이상을 지원하는 브라우저에서만 마우저 웹 사이트에 액세스할 수 있습니다.

마우저 웹 사이트를 계속 사용하려면 브라우저 버전 또는 설정을 업그레이드하시기 바랍니다.

Mouser Electronics heeft TLS 1.0 uitgeschakeld om aan de nieuwste normen op het gebied van beveiliging en gegevensintegriteit te blijven voldoen.

Vanaf september 2017 kan de website van Mouser alleen worden bezocht met browsers die TLS 1.1+ ondersteunen.

Upgrade uw browserversie of -instellingen om weer toegang te krijgen tot de website van Mouser.

Test uw instellingen op de volgende website: www.ssllabs.com, www.howsmyssl.com

A Mouser Electronics desabilitou o TLS 1.0 para manter a continuidade de nosso alinhamento com os mais recentes padrões de segurança e integridade de dados.

A partir de setembro de 2017, somente os navegadores com suporte de TLS 1.1+ poderão ter acesso ao site da Mouser.

Atualize a sua versão ou configurações do navegador para restaurar o acesso ao site da Mouser.

Компания Mouser Electronics отключила TLS 1.0 для обеспечения соблюдения новейших стандартов безопасности и целостности данных.

Начиная с сентября 2017 года вы сможете получать доступ к веб-сайту Mouser только с использованием веб-браузеров с поддержкой TLS 1.1 и более новых версий.

Для возобновления доступа к веб-сайту Mouser обновите веб-браузер либо измените соответствующие настройки.

Проверьте свои настройки, посетив веб-сайт www.ssllabs.com, www.howsmyssl.com

Mouser Electronics har inaktiverat TLS 1.0 för att säkerställa att vi följer de senaste standarderna för datasäkerhet och -integritet.

Endast webbläsare som stöder TLS 1.1+ kommer att kunna få tillgång till Mousers webbplats från och med september 2017.

Uppgradera versionen eller inställningarna för din webbläsare för att få tillgång till Mousers webbplats.

Читать еще:  Http svoimi rukami club ru

Testa dina inställningar genom att besöka: www.ssllabs.com, www.howsmyssl.com

Mouser Electronics ได้ปิดใช้งาน TLS 1.0 เพื่อปฏิบัติตามมาตรฐานล่าสุดในด้านความปลอดภัยและความสมบูรณ์ของข้อมูลอยู่ตลอดเวลา

ตั้งแต่เดือนกันยายน 2017 เป็นต้นไปคุณจะเข้าใช้งานเว็บไซต์ Mouser ด้วยเบราว์เซอร์ที่รองรับ TLS 1.1+ ได้เท่านั้น

โปรดอัพเกรดเวอร์ชั่นหรือการตั้งค่าของเบราว์เซอร์เพื่อให้คืนค่าการเข้าใช้งานเว็บไซต์ Mouser

请升级您的浏览器版本或设置,以恢复对贸泽网站的访问。

Схема контроллера литий-ионного аккумулятора

Устройство и принцип работы защитного контроллера Li-ion/polymer аккумулятора

Если расковырять любой аккумулятор от сотового телефона, то можно обнаружить, что к выводам ячейки аккумулятора припаяна небольшая печатная плата. Это так называемая схема защиты, или Protection IC.

Из-за своих особенностей литиевые аккумуляторы требуют постоянного контроля. Давайте разберёмся более детально, как устроена схема защиты, и из каких элементов она состоит.

Рядовая схема контроллера заряда литиевого аккумулятора представляет собой небольшую плату, на которой смонтирована электронная схема из SMD компонентов. Схема контроллера 1 ячейки («банки») на 3,7V, как правило, состоит из двух микросхем. Одна микросхема управляющая, а другая исполнительная – сборка двух MOSFET-транзисторов.

На фото показана плата контроллера заряда от аккумулятора на 3,7V.

Микросхема с маркировкой DW01-P в небольшом корпусе – это по сути «мозг» контроллера. Вот типовая схема включения данной микросхемы. На схеме G1 — ячейка литий-ионного или полимерного аккумулятора. FET1, FET2 — это MOSFET-транзисторы.

Цоколёвка, внешний вид и назначение выводов микросхемы DW01-P.

Транзисторы MOSFET не входят в состав микросхемы DW01-P и выполнены в виде отдельной микросхемы-сборки из 2 MOSFET транзисторов N-типа. Обычно используется сборка с маркировкой 8205, а корпус может быть как 6-ти выводной (SOT-23-6), так и 8-ми выводной (TSSOP-8). Сборка может маркироваться как TXY8205A, SSF8205, S8205A и т.д. Также можно встретить сборки с маркировкой 8814 и аналогичные.

Вот цоколёвка и состав микросхемы S8205A в корпусе TSSOP-8.

Два полевых транзистора используются для того, чтобы раздельно контролировать разряд и заряд ячейки аккумулятора. Для удобства их изготавливают в одном корпусе.

Тот транзистор (FET1), что подключен к выводу OD (Overdischarge) микросхемы DW01-P, контролирует разряд аккумулятора – подключает/отключает нагрузку. А тот (FET2), что подключен к выводу OC (Overcharge) – подключает/отключает источник питания (зарядное устройство). Таким образом, открывая или закрывая соответствующий транзистор, можно, например, отключать нагрузку (потребитель) или останавливать зарядку ячейки аккумулятора.

Давайте разберёмся в логике работы микросхемы управления и всей схемы защиты вцелом.

Защита от перезаряда (Overcharge Protection).

Как известно, перезаряд литиевого аккумулятора свыше 4,2 – 4,3V чреват перегревом и даже взрывом.

Если напряжение на ячейке достигнет 4,2 – 4,3V (Overcharge Protection VoltageVOCP), то микросхема управления закрывает транзистор FET2, тем самым препятствуя дальнейшему заряду аккумулятора. Аккумулятор будет отключен от источника питания до тех пор, пока напряжение на элементе не снизится ниже 4 – 4,1V (Overcharge Release VoltageVOCR) из-за саморазряда. Это только в том случае, если к аккумулятору не подключена нагрузка, например он вынут из сотового телефона.

Если же аккумулятор подключен к нагрузке, то транзистор FET2 вновь открывается, когда напряжение на ячейке упадёт ниже 4,2V.

Защита от переразряда (Overdischarge Protection).

Если напряжение на аккумуляторе падает ниже 2,3 – 2,5V (Overdischarge Protection VoltageVODP), то контроллер выключает MOSFET-транзистор разряда FET1 – он подключен к выводу DO.

Далее микросхема управления DW01-P перейдёт в режим сна (Power Down) и потребляет ток всего 0,1 мкА. (при напряжении питания 2V).

Тут есть весьма интересное условие . Пока напряжение на ячейке аккумулятора не превысить 2,9 – 3,1V (Overdischarge Release VoltageVODR), нагрузка будет полностью отключена. На клеммах контроллера будет 0V. Те, кто мало знаком с логикой работы защитной схемы могут принять такое положение дел за «смерть» аккумулятора. Вот лишь маленький пример.

Миниатюрный Li-polymer аккумулятор 3,7V от MP3-плеера. Состав: управляющий контроллер — G2NK (серия S-8261), сборка полевых транзисторов — KC3J1.

Аккумулятор разрядился ниже 2,5V. Схема контроля отключила его от нагрузки. На выходе контроллера 0V.

При этом если замерить напряжение на ячейке аккумулятора, то после отключения нагрузки оно чуть подросло и достигло уровня 2,7V.

Чтобы контроллер вновь подключил аккумулятор к «внешнему миру», то есть к нагрузке, напряжение на ячейке аккумулятора должно быть 2,9 – 3,1V (VODR).

Тут возникает весьма резонный вопрос.

По схеме видно, что выводы Стока (Drain) транзисторов FET1, FET2 соединены вместе и никуда не подключаются. Как же течёт ток по такой цепи, когда срабатывает защита от переразряда? Как нам снова подзарядить «банку» аккумулятора, чтобы контроллер опять включил транзистор разряда — FET1?

Читать еще:  Haveg жидкая резина для кровли отзывы

Дело в том, что внутри полевых транзисторов есть так называемые паразитные диоды – они являются результатом технологического процесса изготовления MOSFET-транзисторов. Вот именно через такой паразитный (внутренний) диод транзистора FET1 и будет течь ток заряда, так как он будет включен в прямом направлении.

Если порыться в даташитах на микросхемы защиты Li-ion/polymer (в том числе DW01-P, G2NK), то можно узнать, что после срабатывания защиты от глубокого разряда, действует схема обнаружения заряда — Charger Detection. То есть при подключении зарядного устройства схема определит, что зарядник подключен и разрешит процесс заряда.

Зарядка до уровня 3,1V после глубокого разряда литиевой ячейки может занять весьма длительное время — несколько часов.

Чтобы восстановить литий-ионный/полимерный аккумулятор можно использовать специальные приборы, например, универсальное зарядное устройство Turnigy Accucell 6. О том, как это сделать, я уже рассказывал здесь.

Именно этим методом мне удалось восстановить Li-polymer 3,7V аккумулятор от MP3-плеера. Зарядка от 2,7V до 4,2V заняла 554 минуты и 52 секунды, а это более 9 часов ! Вот столько может длиться «восстановительная» зарядка.

Кроме всего прочего, в функционал микросхем защиты литиевых акумуляторов входит защита от перегрузки по току (Overcurrent Protection) и короткого замыкания. Защита от токовой перегрузки срабатывает в случае резкого падения напряжения на определённую величину. После этого микросхема ограничивает ток нагрузки. При коротком замыкании (КЗ) в нагрузке контроллер полностью отключает её до тех пор, пока замыкание не будет устранено.

Микросхемы для построения преобразовательной техники небольшой мощности

Обратимся теперь к другим зарубежным фирмам, выпускающим драйверные микросхемы для построения преобразовательной техники небольшой мощности. Фирма «ONSemiconductor» [28] представлена на рынке силовой электроники линейкой драйверов в интегральном

исполнении. По мнению автора книги, наиболее интересными типономиналами из этого рада являются MC33153 (одиночный драйвер IGBT транзистора) и MC33152 (высокоскоростной сдвоенный драйвер транзисторов MOSFET). Рассмотрим их подробнее.

Структурная схема драйвера одиночного IGBT транзистора (single IGBT gate driver) типа MC33153 приведена на рис. 2.3.12. Микросхема выпускается в 8-выводном корпусе типа DIP-8 или SOIC-8, обеспечивая ток управления транзистором при его открывании 1 А, а при закрывании — 2 А. Номинальное напряжение питания — 15 В. Задержка выходного управляющего сигнала при переходе его из низкого состояния в высокое и обратно — 300 нс.

Управляющий вход микросхемы — вывод 4, схема выходного каскада драйвера подключена к выводу 5. Кроме этого, в составе драйвера имеется ряд устройств, обеспечивающих защиту силового транзистора от аварийных режимов. Во-первых, это устройство токовой защиты (вывод 1 — current sense input, вывод 2 — kelvin GND). Во-вторых, — устройство контроля состояния насыщения транзистора (вывод 8 — fault blanking/desaturation input). Предусмотрен также выходной сигнал, с помощью которого можно определить возникновение аварийного состояния силового транзистора и вывести его на устройство сигнализации или диагностики (вывод 7 — fault output). Встроенное устройство контроля напряжения питания (underground lockout) отключает драйвер при снижении напряжения питания ниже 11 В.

На рис. 2.3.13 показан вариант применения драйвера с использованием функции контроля насыщения IGBT транзистора в открытом состоянии. В целях обеспечения помехоустойчивости в схему введен конденсатор CbIank небольшой емкости. Вывод управления и диагностиче-

Рис. 2.3.14. Использование сигнала «current sense»

ский вывод гальванически развязаны со схемой драйвера оптронными схемами.

Тем не менее, более точным методом диагностирования токовой перегрузки IGBT транзистора является использование «кельвин-вывода». К сожалению, далеко не все силовые приборы имеют такой дополнительный диагностический вывод (мы об этом говорили). Цепь

передачи токового сигнала в данном случае — это резистивный шунт и сглаживающий RC-фильтр.

Вторая интересная драйверная микросхема, выпускаемая фирмой «ONSemiconductor», — MC33152. Ее структурная схема приведена на рис. 2.3.15. Два идентичных канала драйвера обеспечивают ток управления силовыми транзисторами до 1,5 А. задержка управляющего сигнала при переключении составляет 120 нс. К сожалению, данная микросхема имеет ограниченные сервисные защитные функции, отслеживая только напряжение питания.

На рис. 2.3.16 показан вариант применения драйвера MC33152 совместно с известной микросхемой ШИМ-контроллера типа TL494 (TL594) для построения пуш-пульного двухтактного высокочастотного преобразователя.

Второй метод обеспечения гальванической развязки сигналов управления «верхнего» и «нижнего» плечей полумостовых силовых схем — оптический. Этот метод не слишком подходит для управления высокочастотными силовыми схемами на основе транзисторов MOSFET с частотами преобразования 100 кГц и выше, но с успехом

Читать еще:  3 Комнатная квартира чешка планировка

применяется на частотах 10…50 кГц, то есть при использовании в качестве ключевых силовых элементов транзисторов IGBT. Идея метода достаточно очевидна: входной управляющий ШИМ-сигнал модулирует ток светодиода оптопары, а выходной элемент формирует входной сигнал драйвера, который питается от собственного источника, гальванически развязанного с управляющей схемой преобразователя (рис. 2.3.17).

Рис. 2.3.17. Принцип опторазвязки

Метод опторазвязки очень удобен с точки зрения организации «сигнального» и «силового» общих проводников схемы, поскольку «сигнальный» общий провод можно полностью гальванически отделить от «силового» общего проводника, а значит, выполнить полную развязку силовой части статического преобразователя и силовой схемы. Таким образом, исключается «затекание» силовых токов в цепи управляющих сигналов малой мощности. К сожалению, опторазвязки вносят значительные временные задержки в транслируемые сигналы, поэтомудалеко не все выпускаемые промышленностью оптроны общего применения подойдут для организации такого способа управления силовыми элементами преобразовательной техники.

Для построения драйверов с оптической гальванической развязкой желательно применить специально разработанные комбинированные драйверы, в составе которых имеются, во-первых, согласованные по временным параметрам оптопары, а во-вторых, выходные каскады, которые могут подключаться непосредственно к затворам IGBT транзисторов через токоограничительные резисторы.

Примером удачного драйвера с опторазвязкой может служить микросхема HCPL-3120, выпускаемая фирмой «Agilenttechnologies» [29], и рядом других зарубежных фирм (например, драйверы типа PS9552, PS9552L1, PS9552L2, PS9552L3 фирмы «NEC»). Близкими аналогами этой микросхемы являются HCPL-J312 и HCNW-3120, незначительно отличающиеся по своим электрическим характеристикам от HCPL-3120.

Внутренняя структура микросхемы HCPL-3120 показана на рис. 2.3.18. Со стороны подачи управляющего сигнала имеется светоди-

Рис. 2.3.18. Структура микросхемы HCPL-3120

од, а со стороны собственно узла драйвера — фотодиод. Выходной каскад драйвера оснащен тотемным транзисторным каскадом, в котором верхнее плечо образует биполярный транзистор, а нижнее — полевой. Микросхема обеспечивает пиковый ток управления затворами транзисторов 2 А (в режиме установки высокого и низкого уровня сигналов), что позволяет в ряде случаев использовать ее без дополнительных усилительных каскадов. Питание драйвера находится в диапазоне от 15 до 30 В. Немаловажным параметром также является напряжение гальванической развязки оптопары. В данном случае оно составляет не менее 2500 В, что позволяет использовать микросхему при проектировании статических преобразователей, питаемых от трехфазной сети 3×380 В 50 Гц. К слову, напряжение гальванической развязки HCPL-J312 составляет 3700 В, а для HCNW-3120 — все 5000 В.

Обратим внимание на временные параметры драйвера с опторазвязкой. На рис. 2.3.19 показана типовая временная диаграмма, иллюстрирующая сигнальные задержки при прохождении управляющего сигнала.

Согласно документации производителя, оценка осуществляется при подаче управляющего прямоугольного сигнала частотой 10 кГцс 50-процентной скважностью при изменении тока светодиода от 7 до 16 мА. Затвор транзистора имитируется RC-цепью с эквивалентной ем-

костью 10 нФ и затворным резистором 10 Ом. При этом время задержки включения (tplh) составляет0,3 мкс, время нарастания (tr) — 0,1 мкс, время спада (tf) — 0,1 мкс, время задержки (tphl) — 0,5 мкс. Следует отметить, что задержки сопоставимы с аналогичными параметрами IGBT транзисторов.

Другой широко распространенный вариант драйвера с оптической развязкой — микросхема TLP250, производимая фирмой «Toshiba» [30], (рис. 2.3.20).

Рис. 2.3.20. Структура микросхемы TLP250

Основные технические параметры микросхемы: питание — 10… …35 В, выходной ток управления — 1,5 А, напряжение изоляции оптопары — 2500 В, время включения/выключения — 0,5 мкс.

В ряде случаев разработчик вынужден при проектировании ориентироваться только на отечественную элементную базу, и в этом случае он столкнется практически с полным отсутствием интегральных драйверов. Тем не менее, ОАО «Протон» [31] все же разработало и выпустило на рынок один-единственный интегральный драйвер типа 5П122А, который по своей цоколевке соответствует TLP250. Правда, по электрическим параметрам у отечественного драйвера дело обстоит значительно хуже — выходной ток управления у него всего 200 мА, а напряжение питания — не более 20 В. Будем надеяться, что в ближайшем будущем номенклатура отечественных драйверов с опторазвязкой будет расширена.

Источник: Семенов Б. Ю. Силовая электроника: профессиональные решения. — М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2011. — 416 c.: ил.

Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector